Samsung Foundry уже несколько лет участвует в гонке чипов с тайваньской компанией TSMC. Эти два полупроводниковых гиганта почти всегда идут лицом к лицу, периодически уступая место друг другу в каких-то моментах. В прошлом году Samsung заявила, что начнет производить 3-нм чипы в середине 2022 года, а 5-нм — в 2025 году. В ответ TSMC опубликовала график производства 3-нм и 2-нм чипов.
Тайваньский полупроводниковый гигант заявил, что массовое производство первых чипов N3 (3 нм) начнется во второй половине 2022 года, на рынок они выйдут в начале 2023 года. Более того, TSMC уже планирует начать производство 2-нм (N2) чипов в 2025, и они будут использовать технологию кольцевых затворов GAA FET (Gate All Around Field-Effect Transistors). GAA FET считается следующим шагом в развитии техпроцесса по сравнению с finFET. Такое производство дороже, поэтому крупнейшие игроки этой отрасли не спешат на него переходить, а активно его развивают.
TSMC отстает от Samsung в разработке GAA FET. Южнокорейская компания уже объявила о внедрении новой технологии в 3-нм чипах в конце этого года, что должно значительно повысить их энергоэффективность. TSMC, в свою очередь, пытается восполнить этот пробел агрессивной стратегией выпуска 3-нм чипов FinFET. Всего компания намерена использовать пять 3-нм техпроцессов: N3, N3E, N3P, N3S и N3X. Каждый из них обеспечивает более высокую производительность, плотность транзисторов и энергоэффективность.
Также стоит отметить, что у TSMC есть секретная технология FinFlex, которая помогает разработчикам микросхем точно размещать свои строительные блоки для оптимизации производительности. Насколько это эффективно, покажет время. В любом случае многие мировые бренды, использующие контрактное производство (Apple, AMD, Qualcomm, NVIDIA, MediaTek), в ближайшие годы будут использовать передовые производственные процессы как TSMC, так и Samsung.
